DMN3900UFA-7B

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: X2-DFN0806-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 650 mA

Rds On-漏源导通电阻: 760 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 950 mV

Qg-栅极电荷: 700 pC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 490 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: DMN39

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Diodes Incorporated

下降时间: 23.4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7.8 ns

工厂包装数量: 10000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 80.6 ns

典型接通延迟时间: 10.5 ns