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SI2300DS-T1-GE3产品详细规格

规格书 SI2300DS-T1-GE3

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 3，000

FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS） 30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.6A

Rds（）@ ID，VGS 68 mOhm @ 2.9A， 4.5V

VGS（TH）（）@ Id 1.5V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 10nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的 320pF @ 15V

功率 - 1.7W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)