SI2302CDS-T1-GE3产品详细规格

规格书 SI2302CDS-T1-GE3

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 3，000

FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS） 20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.6A

Rds（）@ ID，VGS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V

VGS（TH）（）@ Id 850mV @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 5.5nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的 -

功率 - 710mW

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

通道模式 Enhancement

漏源电压 20 V

连续漏极电流 2.6 A

RDS -于 57@4.5V mOhm

门源电压 ±8 V

典型导通延迟时间 8 ns

典型上升时间 7 ns

典型关闭延迟时间 30 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

产品种类 MOSFET

RoHS RoHS Compliant

晶体管极性 N-Channel

漏源击穿电压 20 V

源极击穿电压 +/- 8 V

连续漏极电流 2.6 A

抗漏源极RDS （ ON） 0.057 Ohms

配置 Single

工作温度 + 150 C

安装风格 SMD/SMT

封装/外壳 SOT-23-3

封装 Reel

下降时间 7 ns

工作温度 - 55 C

功率耗散 710 mW

上升时间 7 ns

工厂包装数量 3000

零件号别名 SI2302CDS-GE3

门源电压 ±8

包装宽度 1.4(Max)

PCB 3

功率耗散 710

漏源电压 20

欧盟RoHS指令 Compliant

漏源电阻 57@4.5V

每个芯片的元件数 1

工作温度 -55

供应商封装形式 SOT-23

标准包装名称 SOT-23

工作温度 150

渠道类型 N

包装长度 3.04(Max)

引脚数 3

包装高度 1.02(Max)

连续漏极电流 2.6

铅形状 Gull-wing

P（ TOT ） 0.71W

匹配代码 SI2302CDS

单位包 3000

标准的提前期 15 weeks

起订量 3000

极化 N-CHANNEL

无铅Defin RoHS-conform

我（D ） 2.6A

V（ DS ） 20V

R（ DS上） 0.075Ohm

FET特点 Logic Level Gate

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.6A (Ta)

的Vgs（th ） （）@ Id 850mV @ 250μA

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

开态Rds（）@ Id ，V GS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V

FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

功率 - 710mW

漏极至源极电压（Vdss） 20V

闸电荷（Qg ） @ VGS 5.5nC @ 4.5V

封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 SI2302CDS-T1-GE3CT

类别 Power MOSFET

外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

身高 1.02mm

长度 3.04mm

漏源电阻 0.057 Ω

功率耗散 0.71 W

包装类型 SOT-23

典型栅极电荷@ VGS 3.5 nC V @ 4.5

宽度 1.4mm

RDS（ON） 57 mOhms

漏极电流（值） 2.6 A

频率（） Not Required MHz

栅源电压（值） ?8 V

输出功率（） Not Required W

噪声系数 Not Required dB

漏源导通电阻 0.057 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

极性 N

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_ 漏源导通电压 20 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

Continuous Drain Current Id :2.9A

Drain Source Voltage Vds :20V

On Resistance Rds(on) :57mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :8V

Threshold Voltage Vgs :850mV

功耗 :710mW

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :-

Current Id Max :2.9A

Junction Temperature Tj Max :150°C

工作温度范围 :-55°C to +150°C

端接类型 :SMD

Voltage Vds Typ :20V

Voltage Vgs Max :850mV

Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V

Voltage Vgs th Max :0.85V

Voltage Vgs th Min :0.4V

Weight (kg) 0.000008

Tariff No. 85412900

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