2SC4226原装现货价格优惠具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
集电极-发射极电压VCEO：12V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:3.0V
集电极直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59
功率特性：中功率
极性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑料封装
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
直流放大系数hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值)
特征频率fT:5.0GHz@ VCE=3V,IC=7mA
集电极允许电流IC：0.1（A）
集电极允许耗散功率PT：0.2（W）
插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
噪声系数NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。
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